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IPB107N20N3 G /MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3 G的规格信息
IPB107N20N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:88 A

Rds On-漏源导通电阻:9.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:87 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:71 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:IPB107N20N3GATMA1 IPB17N2N3GXT SP000676406

单位重量:4 g

供应商IPB107N20N3 G
IPB107N20N3 G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市清腾科技有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
18390902447		刘先生Email:893018447@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB107N20N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市仓实科技有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPB107N20N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB107N20N3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IPB107N20N3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237		谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司IPB107N20N3 G上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
集好芯城IPB107N20N3 G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司IPB107N20N3 G世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城IPB107N20N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB107N20N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB107N20N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB107N20N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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IPB107N20N3 GMOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO630.20 Kbytes共11页IPB107N20N3 G的PDF下载地址无
IPB107N20N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：10.7mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO690.41 Kbytes共11页IPB107N20N3 G的PDF下载地址无
IPB107N20N3 G的全球分销商及价格
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IPB107N20N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1000+:￥24.16
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPB107N20N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1000+:￥24.16
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPB107N20N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1000+:￥24.16
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		IPB107N20N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1000+:￥24.16
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立创商城		IPB107N20N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：10.7mΩ @ 88A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道1+:￥62.56
200+:￥24.21
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